技术编号：39299315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件，并且具体地涉及分裂栅(split-gate)沟槽功率mosfet器件。背景技术、参考图，图示出了分裂栅沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件的截面的实施例。在该示例中，mosfet器件是形成在半导体衬底(例如，硅)中和上的n沟道(nmos)型晶体管，该半导体衬底掺杂有提供晶体管的漏极区的n型掺杂剂。衬底具有前侧和后侧。多个沟槽从前侧沿深度方向延伸到衬底中。沟槽在垂直...
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