技术编号：39330719
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)具有功耗低、逻辑摆幅大和抗干扰能力强等优点，被广泛应用于计算机、通信和消费电子等众多领域。在cmos中，沟道晶向为<>时，对控制沟道应力和提高载流子迁移率方面具有显著优势，从而得到越来越多的应用。然而，不同的载流子对拉伸应力和压缩应力的需求不同，因此很难在cmos器件中形成满足空穴压缩应力需求和...
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