技术编号：39497118
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术、多晶硅具有强电场效应的迁移率和低电阻等优势，多晶硅广泛应用于半导体器件中。传统技术中，针对半导体器件中多晶硅层，通常采用非晶硅转化为多晶硅的方法形成对应的多晶硅层。、然而，目前非晶硅转化为多晶硅的转化率较低，导致形成的多晶硅层质量不佳。技术实现思路、基于此，本发明实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，能够提高半导体器件中多晶硅层的质量，进而提升半导体器件的性能。、为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种半导体器件的制备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。