技术编号：39555336
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种存储器及其制备方法。背景技术、半导体存储器是信息技术的基础，作为下一代的非易失半导体存储器的候选者，相变存储器（phase change random access memory，pcram）由于高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，得到广泛的关注。、现有三维相变存储器的制备是先通过刻蚀工艺定义存储区块和存储区块之间的外围区域，然后进行字线和字线触点的制备。、但是在定义存储区块的刻蚀工艺中，需要增加...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。