技术编号：39561877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件。背景技术、在将带隙(band gap)或折射率不同的氮化物半导体薄膜层叠来制造半导体多层膜的情况下，尤其是在由包含in的氮化物半导体薄膜构成的多层膜反射镜中，高密度地存在贯穿式错位等缺陷已成为问题。在专利文献中，公开了一种通过在刚形成alinn层之后执行导入氢气的工序，将存在于alinn层的表面的in的簇(cluster)去除，抑制贯穿式错位等缺陷的产生的方法(加氢处理)。在专利文献中，公开了以下内容：通过使在alinn...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。