技术编号：39720387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容关于一种互连结构，特别是关于一种具有较宽的导电通孔以减少电阻的互连结构。背景技术、在半导体元件的基底上形成了包括互连结构的各种金属化层。互连结构可包括横向互连结构，如导电层和垂直互连结构，如导电通孔。、为了实现半导体元件的高积集密度，导电层和导电通孔的尺寸被缩小。然而，导电层和导电通孔的电阻可能不可避免地增加，因此降低了元件性能。、上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作...
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