技术编号：39749292
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体，尤其涉及一种测试结构及其制作方法、测试方法。背景技术、随着半导体制程工艺的发展，逻辑芯片、存储芯片等半导体器件的先进制程中的介质层，例如金属层间电介质层(inter metal dielectric，简称imd)，往往设置互连线，以连接介质层两侧的导电层。介质层，尤其是低介电常数材料层，通常为疏松多孔结构，易吸收水汽。在高温高电压的情况下，互连线中的金属离子在水汽的催化下，易向介质层中迁移，甚至会扩散到其他膜层，使得半导体器件失效，造成严重的可靠性问题。因此，需要测试结构检测...
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