技术编号：39779995
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，涉及一种半导体器件结构及其制备方法。背景技术、随着半导体技术的发展，gan(氮化镓)基的hemt(high electron mobilitytransistors，高电子迁移率晶体管)因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的热稳定性而在高频、高功率应用中显示出巨大的潜力。然而，gan材料在生长过程中不可避免地引入了大量位错和缺陷，这些缺陷不仅影响了器件的性能，还导致了栅电极漏电现象，进而引发了电流崩塌问题，限制了gan hemt在高性能电子设备中的应用。、栅电极漏电现象主要源...
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