技术编号：39901287
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体器件，具体地，涉及一种包括导电结构的半导体器件。背景技术、半导体器件包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)组成的集成电路。为了满足对具有小图案尺寸的半导体器件的渐增需求，mos-fet的尺寸正在减小。mos-fet的尺度缩小可以导致半导体器件的操作性能劣化。正在进行各种研究来克服与半导体器件的尺度缩小相关联的技术限制并且实现高性能的半导体器件。技术实现思路、介于半导体器件的模制层和导电层之间的衬垫能够有助于稳定地形成防止在其中形成接缝(seam)的导电层。在一些...
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