技术编号：39980394
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于金属湿法蚀刻和igbt芯片交叉，具体涉及一种避免金属间电化学腐蚀效应的钨/氮化钛蚀刻液及其使用方法。背景技术、在车规芯片的制造中，涉及到电压转换的场景通常都要用到igbt芯片，而igbt中的触点或互连线通常采用钨、钛、铜等金属及其合金构成叠层结构，该种结构由于原电池效应极易发生电化学腐蚀，金属之间的活性差异越大，电化学腐蚀效应越严重。因此在各层金属的蚀刻过程中，易出现不同金属的蚀刻速度不同，各层金属的侧蚀和蚀刻锥角参差不齐的情况。在钨/氮化钛金属叠层蚀刻中，金属钨作为阳极失去电子，金...
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