技术编号：40045308
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别是涉及一种场效应晶体管终端结构和二极管器件。背景技术、近年来，我国的电力电子技术得到了快速的发展，在功率芯片的研发上取得了极大的进步。目前，硅基半导体芯片的性能趋于极限，较难在降低导通电阻的同时进一步提高芯片的击穿电压。而第三代半导体材料，即宽禁带材料，例如sic，凭借其更好的电、热、机械性能逐渐走入人们的视野。sic器件在高压、高温、大功率、低损耗等方面均比硅基器件有更大的优势，因此sic器件在高压输变电、新能源汽车、造舰航空等领域有巨大的应用前景。、sic mosf...
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