技术编号：40114338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成光子器件或者集成电子器件，尤其涉及用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法与刻蚀设备。背景技术、近年来随着大数据、人工智能、高速网络、量子信息等信息技术的高速发展，对具有低传输损耗、高密度集成、低调制功耗等功能的集成光子器件或者集成电子器件(记作集成光子/电子器件)产生迫切需求。发展高性能集成光子/电子器件要解决的首要问题是如何在用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀出各种微纳结构。、例如，铌酸锂(linbo，ln)和钽酸锂(litao，lt)具有优异的非线性光学效应、电光效...
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