技术编号：40209065
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻污染物处理，尤其涉及光刻掩模版、光刻污染物的处理方法、设备及光刻机。背景技术、目前极紫外或电子束光刻胶材料主要有聚合物型、分子玻璃型和金属氧化物纳米颗粒型三大类。其中，金属氧化物纳米颗粒光刻胶有望大幅提高光刻灵敏度和光刻分辨率。尽管金属氧化物型光刻胶在极紫外光刻或电子束光刻方面表现出巨大的应用潜力。金属氧化物型光刻胶被视为最具发展前景的新一代光刻胶。但与传统光刻胶相比，由于金属氧化物纳米粒子引入给光刻工艺也带来了新的问题。、传统的光刻胶为有机聚合物分子，光刻胶曝光过程中会产生放...
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