技术编号：40374578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构以及半导体器件。背景技术、当前，沟槽mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）由于其导通电阻低、芯片面积小等优势成为研究热点之一。由于沟槽mosfet在传统栅氧制备过程中，其沟槽底部的氧化速率远远低于沟槽侧壁的氧化速率，导致其沟槽底部的栅氧质量较差，器件击穿特性恶化。技术实现思路、本申请的主要目的在于提供一种半导体结构以及半导体器件，以至少解决现...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。