技术编号：40375667
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体镀膜，具体涉及一种镀膜设备进片室装置及抽真空方法。背景技术、镀膜设备中的镀膜进片室为硅片、玻璃的镀膜提供真空环境，只有达到真空环境后，镀膜工艺才能开始。从载板承载硅片准备进片，进片室内门阀开启，此时进片室内为标准大气环境(.xpa)，到载板承载硅片输送至镀膜进片腔室后，进片室的门阀关闭，需将进片室抽至高真空状态下，以期满足下个工艺室的真空环境，用于实现连续生产。、实际生产过程中，抽真空时，在标准大气环境抽至高真空状态下，硅片对气流的流动非常敏感，相关气流中直接向硅...
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