技术编号：40384841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其是涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。背景技术、rc-igbt(逆导型绝缘栅型双极晶体管reverse conducting-insulated gatebipolar transistor)是指在单个芯片上集成了igbt(绝缘栅型双极晶体管insulatedgate bipolar transistor)和frd(快恢复二极管fast recovery diode)。一般而言，行业中通常将igbt和frd通过集总式或分布式的方法，集成在芯片的元胞区，二者共用终端，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。