技术编号：40413438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及仿真，具体地，涉及一种电源完整性仿真方法、装置、存储介质及电子设备。背景技术、现有的电源完整性仿真过程中，通过控制芯片功耗模型（chip power model，cpm）的仿真电流峰峰值达到最大来实现电源完整性仿真。但在仿真过程中，芯片凸块（bump）处的仿真电流峰峰值达到最大，对应的仿真电压峰峰值可能小于真实情况，即实测芯片凸块处的动态电压峰峰值可能大于仿真电压峰峰值，导致电源完整性仿真结果不可靠。技术实现思路、本公开的目的是提供一种电源完整性仿真方法、装置、存储介质及电子设备，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。