技术编号：40448387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种环栅器件及其外延方法。背景技术、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)的发展方向趋向于多层垂直叠层全环绕(gate-all-around，gaa)栅极晶体管方向，以提供优化的器件性能和提高器件单位面积电流。使用源漏外延技术对沟道施加应力已经对器件性能不可或缺。、目前，垂直叠层环栅器件的源漏外延难度大，如图所示，现有技术的外延生长从几个不同的间断的起始面开始，包括在环栅器件的沟道处...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。