技术编号：40469305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及半导体生产，尤其涉及一种磷化铟单晶生成装置。背景技术、磷化铟是一种新型的半导体材料，由铟和磷元素组成，具有较高的电子迁移率和热导率，适用于高速电子器件和光电器件的制造，一般通过水平布里奇曼法生成磷化铟单晶，在生成时，需要将红磷和高纯铟分别放置于高温区和低温区，利用控制温度，将红磷变成红磷蒸汽，再将红磷蒸汽与高纯铟融合在一起生成磷化铟晶体。、红磷蒸汽在从高温区流向低温区与高纯铟融合过程中，装置一般不具备对磷蒸汽的限制机构，使得在短时间内大量磷蒸汽流向低温区域的高纯铟位置，不能完全且及...
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