技术编号：40701878
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于电池制备，更具体地说，是涉及一种导流装置，以及使用该导流装置的沉积设备。背景技术、硅片基底在进行化学气相沉积形成沉积膜的过程中，通常是将硅片基底放置于载具上，并将载具放置于沉积腔体中，沉积腔体中的反应气体可与硅片基底反应并形成沉积膜。、然而，反应气体在沉积腔体中流动的过程中，受硅片基底放置于载具上的方式及间距等影响，气流会正向作用于硅片基底上。正向作用于硅片基底上的气流因压力较大，易压碎硅片基底，造成硅片基底的损伤，从而影响硅片基底的沉积作业。技术实现思路、本申请实施例的目的在于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。