技术编号：40782584
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种等离子刻蚀腔的加工时间预测方法、系统及维护方法。背景技术、等离子刻蚀是半导体集成电路制造工艺的刻蚀工序中常用的刻蚀方式之一，请参考图，该刻蚀发生在真空反应腔室chamber内，该真空反应腔室内设置有承载和吸附待刻蚀的晶圆wafer的静电吸附卡盘(electrostatic chuck，esc)，且在静电吸附卡盘外周通常还设有消耗性的边缘环(edge ring)，该边缘环用于改善晶圆(wafer)边缘的刻蚀均匀性和一致性效果。、请继续参考...
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