技术编号：40795109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及单晶炉，尤其涉及一种单晶硅掺杂装置。背景技术、光伏行业发展迅速，光伏电池转换效率不断刷新，对单晶硅品质要求不断提升，单晶硅电阻率对发电效率影响很大，电阻率在一定范围内的单晶电池片效率较高，因此电阻率集中度问题倍受关注。、n型单晶硅中掺杂的母合金在单晶炉高温环境中极易挥发，多次断线后或者产出一定长度单晶硅后，因母合金挥发较多，导致单晶硅电阻偏大，此时需要用到掺杂装置进行掺杂母合金，确保产出单晶硅电阻正常。、如公告号为cnu公开了一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构，虽然...
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