技术编号：40805408
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，涉及一种膜厚测试结构及实时监测量测过程中光斑位置的方法。背景技术、芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的d结构，在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠sio、氮化硅等绝缘介质薄膜和al、cu等金属导电膜，在薄膜上可以进行掩膜版图形转移(光刻)、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。、在晶圆制作过程中，需要在薄膜淀积完成后将晶圆组(lot)转移至膜厚量测机台进行测试，当厚度(thk)实际量测过程中出现光斑打偏或光斑量测位置偏移时，会导致量测机台输出错误量测结果，导致线上产生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。