技术编号：40915957
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及电子器件，并且更具体地涉及包括布置在第一衬底与第二衬底之间的管芯的电子器件(例如，功率模块)。背景技术、包括发热电子器件(例如，管芯)的常规电子器件，例如包括一个或多个金属-氧化物-半导体场效应晶体管(功率mosfet)的功率模块(或″功率封装件″)，通常依赖于使用陶瓷衬底或其它隔离层来提供发热电子器件与散热器之间的电隔离。在某些常规器件中，为了避免对此类热管理结构的物理干扰，用于提供到器件中的相应电子器件的电连接的母线通常与此类电子器件间隔开地定位，并且通过铜轨道或迹线、引线接合件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。