技术编号：40972054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，具体而言涉及一种半导体功率器件及电子装置。背景技术、igbt(绝缘栅双极型晶体管)凭借高效率、高耐压、大电流处理能力以及快速切换速度等优点，应用于诸如但不限于终端设备、逆变器等各种电子装置中。、igbt作为一种常用的电力电子器件，其性能受到多个因素的影响，其中导通压降和关断损耗是两个重要的指标。、然而，目前的igbt无法同时实现较低的导通压降、以及较低的关断损耗。技术实现思路、在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。