技术编号：41084183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及压电陶瓷制备，尤其涉及一种通过na掺杂提高铌酸锂陶瓷压电性能的方法。背景技术、铌酸锂材料具有居里温度高、压电常数大、介电损耗小、机电耦合系数大等优点，且具有良好的温度稳定性，可用于制备高温压电传感器、声表面波滤波器等器件。当前用于制备℃以上使用的高温压电传感器大多采用铌酸锂单晶，但单晶的抗热震和抗机械冲击性能差，容易在长时间的机械载荷下发生断裂失效，且由于铌酸锂单晶生长体系lio-nbo中存在同成分共熔点，难以生长出符合化学计量比的铌酸锂单晶。此外，铌酸锂单晶生长周期长，...
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