技术编号：41102729
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请的实施例涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。背景技术、随着半导体技术中的进步，存在对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本不断增加的需求。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet和鳍式场效应晶体管(finfet)。这样的缩小增加了半导体制造工艺的复杂性，并且增加了半导体器件中工艺控制的难度。技术实现思路、本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：沟道结构，位于衬底上，其中，所述沟...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。