技术编号：41114191
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。更具体而言，本文所描述的实施例涉及在半导体处理腔室内加热预热环及前驱物的方法。背景技术、处理半导体基板用于各种各样的应用，包括制造整合装置及微装置。一种基板处理方法包括在处理腔室中的基板的上表面上沉积材料，诸如介电材料或导电材料。例如，外延是在基板表面上生长(通常是硅或锗的)薄的超纯层的沉积处理。通过使处理气体与支撑件上定位的基板表面平行地流动并且热分解处理气体以将来自处理气体的材料沉积到基板表面上，可在侧向流动腔室中沉积材料。、在外延沉积期间，处理气...
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