技术编号：41311882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开一般地涉及电路保护器件领域，并且特别地，涉及具有低钳位电压的双向瞬态电压抑制器器件。背景技术、现代电子器件依赖于半导体器件二极管来实现各种功能，包括例如在瞬态过电压事件期间的电路保护。这种器件使用通过结接合在一起的n型和p型半导体材料来制造。这种结被称为p-n结。p-n结是在半导体器件的具有第一导电类型(p或n)的区域和具有与第一导电类型相反的第二导电类型(n或p)的第二区域之间形成的接口。、诸如瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor，tvs)器件的半...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。