技术编号：41350892
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体生长衬底材料领域，具体涉及一种氮化镓衬底的结构和制备方法。背景技术、gan单晶生长衬底虽然在价格和尺寸上存在劣势，但同质生长衬底外延的gan层要比异质衬底(si、sic)外延生长的gan层的缺陷密度少得多，比如在si生长衬底上异质外延gan，位错密度一般在ecm－附近，而在gan自支撑衬底上外延gan位错密度通常降低到ecm－左右。所以，不论是激光芯片抑或者是功率、射频器件，gan单晶生长衬底都将会是高性能、高稳定的高端产品的最优甚至唯一选择。、一方面，商用的ga...
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