技术编号：41379830
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光器，特别涉及一种可减少烧孔效应的半导体激光器结构。背景技术、半导体激光器具有体积小、寿命长、能耗低、制造简单、易量产、成本低、波长覆盖范围广、电光转换效率高等优点，在光纤通信、光存储器、cd激光唱片机、激光打印机等领域获得广泛应用。量子阱大功率半导体激光器则面向精密机械加工、印刷业、医疗领域及固体泵浦源领域等等。激光技术已成为现代生活中不可替代的技术之一，不论是工业加工、医疗美容、光纤通信，还是近年来火热的无人驾驶、智能机器人等，都与激光技术息息相关。、当前量子阱激光器的研究方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。