技术编号：41414597
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及晶圆加工，尤其是涉及一种晶圆背面光反射率测量装置。背景技术、随着社会经济的不断发展以及科学技术水平的日益提高，我国的半导体行业也在蓬勃发展，晶圆（即晶元）是制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料为硅。晶圆作为生产集成电路（ic）的载体，能够通过在自身上制造电子器件和电路，实现数据的处理、存储、传输等功能，对半导体行业有着重要作用。、现有技术中存在了一种晶元背面光反射率测量装置，其包括放置台和检测机构，放置台的顶端还向上延伸有增高架，增高架与放置台连接。检测机构包括检测件与控制件，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。