技术编号：41619583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种加热盘的制造方法、一种加热盘，一种工艺腔室，以及一种半导体器件的加工设备。背景技术、半导体制造中的加热盘，因与传输腔连接处的传片口结构的存在，其腔体空间相较于圆柱形腔室，多出一个空腔，有可能会导致该方向晶圆表面温度低于其他位置。、现有技术中的单区、双区加热盘，通常将印刷式电极设于陶瓷与金属基体之间，通过印刷式电极对该局部区域进行温度调节。然而，一方面，印刷式电极通常设于金属与陶瓷之间，其粘结部位采用耐受温度较低的胶粘接，因而无法在加热盘高温使用的同时控制电极...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。