技术编号：41642259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域总体上涉及用于将材料自供体基板转移到受体基板的方法，更具体地，涉及用于将由晶片阵列形成的伪基板转移到受体基板的方法。本发明涉及一种用于制造能够将由晶片阵列形成的伪基板转移到受体基板的结构的方法。本发明还涉及此种类型的转移结构。本发明还涉及一种使用此类结构的转移方法。本发明可以应用在许多行业领域中，特别是用于仅具有较小大小的所关注材料来制造基板。本发明特别有利于制造半导体材料的基板，例如iii-v型(特别是磷化铟(indiumphosphide；inp))基板。因为本发明使得能够制造包...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。