技术编号：41654079
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种衬底的晶向的检测方法及检测装置。背景技术、晶向是指晶胞中任意两个原子/分子/离子之间的连线所指的方向。半导体结构中衬底的晶向对半导体结构的性能有较大影响，例如衬底的晶向影响半导体结构中晶体管的导通性能，因此，在半导体结构的制造工艺中需要获取衬底的晶向。当前，获取衬底的晶向的方法主要是通过物理破坏性的方法来获取衬底的晶向。但是，物理破坏的方法需要引入掩模以及物理破坏步骤，不仅费时费力，而且需要损伤衬底，导致半导体结构生产成本的升高以及生产效率的降低。、因此，如...
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