半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:46665

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专利摘要本披露涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括多层互连板,该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、电介质层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷,该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜侧壁。该上部导电层可以包括跨该倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线,并且该下部导电层可以包括多条下部导电迹线。该半导体器件可以包括在该下部导电层与该上部导电层之间延伸的多个过孔、在该凹陷中由该多层互连板承载的IC、将该多条上部导电迹线耦接至该IC的多条键合接线以及与该IC相邻并与该多层互连板的多个部分相邻的包封材料。专利说明半导...
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