技术编号：4934666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于烷基卤硅烷直接合成的冶金硅(Si)中某些杂质含量的控制。本发明的具体主旨是通过选择用于制备冶金Si的起始物料控制这一含量。因而本发明的主旨是用这种冶金Si制备烷基卤硅烷。众所周知烷基卤硅烷的直接合成，自从初次由Rochow描述后已成为许多改进的主题。直接合成反应包括在流化床中气态的烷基卤或芳基卤，主要是氯甲烷CH3Cl、如需要还有氯苯C6H5Cl，与由石英或另一种SiO2源经碳高温还原得到的冶金Si的细粒子反应。该反应还包括催化剂体系，直接合...
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