技术编号：5265975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及通过垂直的一维ZnO纳米棒阵列采用扩散法形成P型ZnO纳米阵列作为三维结构的主干，然后用水热法在主干上形成树枝状径向分布的η型ZnO纳米结构的同质结器件，属于半导体器件。背景技术ZnO作为一种典型的宽禁带半导体材料，室温下具有高达60 meV的激子束缚能， 在室温下易实现高效率的发光，因此近年来成为发光二极管和紫外激光器等的热门材料， 具有很好的应用潜力。同时ZnO纳米材料作为最优异的半导体纳米材料之一，在光学、电输运、压电、光电、场发...
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