技术编号：5266188
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米材料，具体涉及一种钨基三氧化钨纳米薄膜材料及其制备方法和应用，属于纳米材料及应用。背景技术近年来，三氧化钨(WO3)纳米薄膜材料的研究引起了越来越多的关注。WO3是一种n-型半导体材料，其禁带宽度较窄(2. 4-2. 8eV),能够响应可见光，并且具有与TiO2光催化剂相似的特点，即稳定、无毒、耐光蚀、成本低且价带电势高(Evb+3. r3. 2VraE)、光生空穴氧化能力强(见J. Am. Chem. Soc.，2001，123，106...
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