技术编号：5266521
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电。背景技术紫外探测是继红外探测之后的又一项军民通用的光电探测技术，尤其在紫外告警、紫外制导、火焰传感、气体探测与分析、环境污染监测等方面具有广泛的应用前景。目前，MgZnO宽禁带半导体材料是理想的紫外光电探测器材料之一，其形态包括MgZnO薄膜和MgZ...
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