技术编号：5267076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体低维结构薄膜产品及其制备方法。更具体而言，涉及一种锗(Ge)纳米点/硅(Si)纳米线阵列镶嵌结构的薄膜及其制备方法，属于半导体器件领域。背景技术半导体低维结构由于量子限制效应从而使其电学性质和光学性质 发生很大的变化。而三维受限的纳米点(Dots)结构由于对其中的载流 子(如电子、空穴和激子)有强量子限制作用则更引人瞩目。纳米点结 构材料在光电器件、单电子器件等方面具有极为广阔的应用前景。通 过控制纳米点的形状、尺寸和结构,可有效实现对其能...
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