技术编号：5270790
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，其具体操作是将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5-1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构，所需的接触压力不引起基体晶格缺陷，且其操作简单、位置可控、灵活性高。专利说明—种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法[0001]本发明涉及砷化镓的纳米加工方法。背景...
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