技术编号：5274032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其可简便实现在半导体表面上沉积任意形状和尺寸的二氧化硅薄膜。背景技术二氧化硅(SiO2)具有绝热性好、光透性高、硬度高、耐磨性好以及良好的介电性质，尤其在制成薄膜后在工业中有着广泛的应用。如二氧化硅作为一种的特殊的电介质和绝热材料，可用于微电子、光电子和光集成器件。二氧化硅由于具有高热阻性和强的透光性，可用于太阳能器件。纳米二氧化硅由于具有多孔性，可以用于过滤薄膜、催化薄膜、敏感器件和相关的吸收剂及分离技术等。多孔的二氧化硅薄膜具有强声阻性能...
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