技术编号：5288017

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本发明涉及CIS系太阳能电池及其制造方法，具体而言，涉及作为光吸收层使用 CIGS、 CIGSS、 CIS等的CIS系太阳能电池及其制造方法。背景技术在太阳能电池中，具有单晶硅型太阳能电池、多晶硅型太阳能电池、非晶硅型太阳 能电池(以上都为硅系太阳能电池)、GaAs系太阳能电池、CdS/CdTe系太阳能电池、CIS系 太阳能电池(以上都为化合物系太阳能电池)、色素增感型太阳能电池(有机物系)等。 其中，CIS系太阳能电池具有如下特征因是多晶体而面向大面积...
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