技术编号:5290763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子机械设备,特别涉及一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽。背景技术随着微电子机械系统(MEMS)的不断发展,多孔硅材料以其良好的机械性能及热学性能在MEMS中显示出极广阔的应用前景。首先,基于多孔硅材料的膜层可以制备得很厚,可在MEMS中替代Si02等材料作为牺牲层,使得采用体微机械技术加工微结构时无需双面光刻即可快速释放微结构,同时在表面微机械技术中可很好的解决结构层与基底间距离 太小的问题;其次,由于多孔硅具有远低于硅基体的热导率(可低至lW/m...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。