技术编号：5864936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括传感器的器件，传感器用于感测对该传感器的环境加以指示 的物理参数的值。本发明还包括一种制造这种器件的方法。背景技术在场效应晶体管(FET)(例如，诸如金属氧化半导体FET(MOSFET)之类的金属绝缘 体半导体FET(MISFET))的沟道中引入应变已经用作一种提升集成电路性能(例如，驱动电 流(Idsat))的方式。如果减小沟道的长度，则阈值电压变得不确定，并且出现亚阈值漏电流。为了抑制 这些效应，使沟道区的掺杂剂浓度增加，并且在浅层中...
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