技术编号：5868764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于制备氧化钨(WO3)纳米薄膜气敏传感器的，尤其涉及以多孔硅为基 底制备WO3纳米薄膜气敏传感器的方法。背景技术WO3气敏材料由于对N0X、NH3等气体灵敏度高、响应时间和恢复时间短、易于测量 与控制、价格低廉等优点而被认为是最具应用前景和发展前途的气敏材料之一，成为科技 人员新的关注与研究热点。然而WO3气敏传感器工作温度高(250°C左右)这一缺点为传感 系统集成化微小型化增加了复杂性和不稳定性，成为制备低功耗系统必须逾越的障碍。为 此科技人...
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