技术编号：5882646
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜沉积、加工与分析设备，具体地说，涉及一种多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统。背景技术离子束溅射沉积(IBSD)是半导体工艺中薄膜制备的重要方式之一，根据溅射原理，利用低能量聚焦离子束对靶材表面进行轰击，溅射的靶材淀积到衬底表面并牢固地附着在衬底表面。离子枪中的灯丝在高压下产生热电子，热电子使氩气电离成Ar+，在电场下加速从而形成离子束。在局部氧压或氧离子束轰击下可以进行反应离子束溅射沉积(RIBD)，以制备氧化物薄膜。在薄膜淀积过程中，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。