技术编号：5937926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及第一基材和第二基材隔着密封接合部接合而成的MEMS传感器。背景技术图5是用于说明相对于本发明的比较例的结构的MEMS传感器的局部纵向剖视图。在图5所示的MEMS传感器I中，第一基材2、第二基材3以及支承基材4按照该顺序层叠，第一基材2与第二基材3之间通过密封接合部5接合。另外，第二基材3与支承基材4之间隔着绝缘层(硅氧化层)6接合。各基材2 4由硅等形成。如图5所示那样，密封接合部5通过使形成在第一基材侧的Al层8和形成在第二 基材3侧的Ge层9...
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