技术编号：6020673
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺，特别涉及一种。背景技术外延工艺在半导体中十分重要，各种高压器件、高频器件均需要用到外延工艺，作为掩埋层或者提高双极器件集电极的击穿电压等。由于外延层的广泛应用在众多器件关键的工艺中，因此外延层薄膜的质量十分重要。外延层薄膜的质量通常会遇到许多方面的问题，比如颗粒、缺陷等。其中对于缺陷的检测，由于是晶格级的反映，且与硅片衬底为同种物质，因此很难用普通的光学法量测手段来解决。通常对于缺陷的评价，主要是通过厚外延生长后酸法腐蚀，然后在显微镜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。